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| 数据手册 | IXFN100N20 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Chassis Mount |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | SOT-227-4 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HyperFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 520 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 23 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：53,945
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 10
- 参考单价：
- ￥137.5601
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 10+ | ￥137.5601 | ￥1,375.6010 |
| 30+ | ￥126.4016 | ￥3,792.0480 |
| 50+ | ￥121.0162 | ￥6,050.8100 |
| 100+ | ￥117.4818 | ￥11,748.1800 |
| 200+ | ￥107.8128 | ￥21,562.5600 |
| 500+ | ￥102.6126 | ￥51,306.3000 |
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