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| 数据手册 | IXFT6N100Q 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-268-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 180 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1 kV |
| Id-连续漏极电流 | 6 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 1.9 Ohms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：53,237
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 30
- 参考单价：
- ￥58.6748
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 30+ | ￥58.6748 | ￥1,760.2440 |
| 60+ | ￥54.5234 | ￥3,271.4040 |
| 120+ | ￥53.2894 | ￥6,394.7280 |
| 270+ | ￥48.7062 | ￥13,150.6740 |
| 510+ | ￥44.3609 | ￥22,624.0590 |
| 1,020+ | ￥42.3160 | ￥43,162.3200 |
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