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| 数据手册 | IXFN21N100Q 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Chassis Mount |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | SOT-227-4 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 520 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1 kV |
| Id-连续漏极电流 | 21 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 500 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：56,103
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 10
- 参考单价：
- ￥155.8932
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 10+ | ￥155.8932 | ￥1,558.9320 |
| 30+ | ￥143.2539 | ￥4,297.6170 |
| 50+ | ￥137.1811 | ￥6,859.0550 |
| 100+ | ￥133.1531 | ￥13,315.3100 |
| 200+ | ￥122.1885 | ￥24,437.7000 |
| 500+ | ￥116.3007 | ￥58,150.3500 |
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