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    IXFH11N80

    MOSFET 11 Amps 800V

    制造商:
    IXYS
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 IXFH11N80 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 Through Hole
    封装 Tube
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 TO-247-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    商标名 HyperFET
    配置 Single
    Pd-功率耗散 300 W
    Vgs - 栅极-源极电压 20 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 800 V
    Id-连续漏极电流 11 A
    Rds On-漏源导通电阻 950 mOhms
    通道模式 Enhancement

    库存:55,397

    交货地:
    国内
    最小包装:
    30
    参考单价:
    ¥60.9753
    数量 单价(含税) 总计
    30+ ¥60.9753 ¥1,829.2590
    60+ ¥59.4857 ¥3,569.1420
    120+ ¥58.1195 ¥6,974.3400
    270+ ¥53.0427 ¥14,321.5290
    510+ ¥48.3889 ¥24,678.3390
    1,020+ ¥46.1589 ¥47,082.0780

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