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| 数据手册 | RQ3E100MNTB1 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装 / 箱体 | HSMT-8 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Id-连续漏极电流 | 10 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 8.8 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 9.9 nC |
库存：54,965
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 3000
- 参考单价：
- ￥2.4679
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 3,000+ | ￥2.4679 | ￥7,403.7000 |
| 9,000+ | ￥2.3886 | ￥21,497.4000 |
| 24,000+ | ￥2.3093 | ￥55,423.2000 |
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