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| 数据手册 | IXFH12N120 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HyperFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 500 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1.2 kV |
| Id-连续漏极电流 | 12 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 1.4 Ohms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：52,980
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 30
- 参考单价：
- ￥101.4932
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 30+ | ￥101.4932 | ￥3,044.7960 |
| 60+ | ￥93.3755 | ￥5,602.5300 |
| 120+ | ￥91.0839 | ￥10,930.0680 |
| 270+ | ￥83.5215 | ￥22,550.8050 |
| 510+ | ￥75.7828 | ￥38,649.2280 |
| 1,020+ | ￥69.2163 | ￥70,600.6260 |
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