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| 数据手册 | IXFH36N55Q2 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HyperFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 560 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 550 V |
| Id-连续漏极电流 | 36 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 180 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：52,475
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 30
- 参考单价：
- ￥102.1102
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 30+ | ￥102.1102 | ￥3,063.3060 |
| 60+ | ￥94.0013 | ￥5,640.0780 |
| 120+ | ￥91.7009 | ￥11,004.1080 |
| 270+ | ￥84.0239 | ￥22,686.4530 |
| 510+ | ￥76.2764 | ￥38,900.9640 |
| 1,020+ | ￥69.6482 | ￥71,041.1640 |
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