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数据手册 | IXFT23N80Q 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Tube |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | TO-268-3 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 500 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
Id-连续漏极电流 | 23 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 420 mOhms |
通道模式 | Enhancement |
库存:51,754
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 30
- 参考单价:
- ¥104.0933
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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30+ | ¥104.0933 | ¥3,122.7990 |
60+ | ¥95.7906 | ¥5,747.4360 |
120+ | ¥93.4372 | ¥11,212.4640 |
270+ | ¥85.6897 | ¥23,136.2190 |
510+ | ¥77.7659 | ¥39,660.6090 |
1,020+ | ¥71.0056 | ¥72,425.7120 |
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