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| 数据手册 | IXFK25N90 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-264-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HyperFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 560 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 900 V |
| Id-连续漏极电流 | 25 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 330 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：56,825
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 25
- 参考单价：
- ￥129.4424
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 25+ | ￥129.4424 | ￥3,236.0600 |
| 50+ | ￥119.0948 | ￥5,954.7400 |
| 100+ | ￥116.1773 | ￥11,617.7300 |
| 250+ | ￥106.5172 | ￥26,629.3000 |
| 500+ | ￥96.6631 | ￥48,331.5500 |
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