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数据手册 | IXFX25N90 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | TO-247-3 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
商标名 | HyperFET |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 560 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 900 V |
Id-连续漏极电流 | 25 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 330 mOhms |
通道模式 | Enhancement |
库存:59,987
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 30
- 参考单价:
- ¥115.1902
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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30+ | ¥115.1902 | ¥3,455.7060 |
60+ | ¥105.9531 | ¥6,357.1860 |
120+ | ¥103.4147 | ¥12,409.7640 |
270+ | ¥94.8034 | ¥25,596.9180 |
510+ | ¥86.0070 | ¥43,863.5700 |
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