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| 数据手册 | ALD910021SAL 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | 0 C |
| 最大工作温度 | + 70 C |
| 封装 / 箱体 | SOIC-8 |
| 通道数量 | 2 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Dual |
| Pd-功率耗散 | 500 mW |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 10.6 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 10.6 V |
| Id-连续漏极电流 | 80 mA |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.12 V |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：52,175
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 50
- 参考单价：
- ￥18.0334
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 50+ | ￥18.0334 | ￥901.6700 |
| 100+ | ￥16.9141 | ￥1,691.4100 |
| 250+ | ￥15.1777 | ￥3,794.4250 |
| 500+ | ￥13.6353 | ￥6,817.6500 |
| 1,000+ | ￥11.5287 | ￥11,528.7000 |
| 2,500+ | ￥11.0263 | ￥27,565.7500 |
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