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| 数据手册 | ALD1103SBL 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | 0 C |
| 最大工作温度 | + 70 C |
| 封装 / 箱体 | SOIC-14 |
| 通道数量 | 4 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Quad |
| Pd-功率耗散 | 500 mW (1/2 W) |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 10.6 V |
| 晶体管极性 | N-Channel, P-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 12 V |
| Id-连续漏极电流 | 40 mA, 16 mA |
| Rds On-漏源导通电阻 | 50 Ohms, 180 Ohms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 400 mV |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：54,807
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
