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| 数据手册 | RM21N650T2 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 188 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Id-连续漏极电流 | 21 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 180 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 3 V |
| Qg-栅极电荷 | 48 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：53,702
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1000
- 参考单价：
- ￥9.9774
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1,000+ | ￥9.9774 | ￥9,977.4000 |
| 2,000+ | ￥8.5496 | ￥17,099.2000 |
| 4,000+ | ￥7.8092 | ￥31,236.8000 |
| 10,000+ | ￥7.1217 | ￥71,217.0000 |
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