文档与媒体
| 数据手册 | RM8N650IP 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-251-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| Pd-功率耗散 | 80 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Id-连续漏极电流 | 8 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 540 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 22 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：52,472
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1600
- 参考单价：
- ￥4.6626
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1,600+ | ￥4.6626 | ￥7,460.1600 |
| 3,200+ | ￥3.9927 | ￥12,776.6400 |
| 5,600+ | ￥3.6490 | ￥20,434.4000 |
| 10,400+ | ￥3.3317 | ￥34,649.6800 |
申请更低价? 请联系客服
