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| 数据手册 | ALD212908APAL 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | 0 C |
| 最大工作温度 | + 70 C |
| 封装 / 箱体 | PDIP-8 |
| 通道数量 | 2 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | EPAD |
| 配置 | Dual |
| Pd-功率耗散 | 500 mW |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 10.6 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 10.6 V |
| Id-连续漏极电流 | 80 mA |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 0.82 V |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：50,614
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 50
- 参考单价：
- ￥36.4988
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 50+ | ￥36.4988 | ￥1,824.9400 |
| 100+ | ￥34.8241 | ￥3,482.4100 |
| 250+ | ￥30.4876 | ￥7,621.9000 |
| 500+ | ￥29.6150 | ￥14,807.5000 |
| 1,000+ | ￥25.3403 | ￥25,340.3000 |
| 2,500+ | ￥23.6039 | ￥59,009.7500 |
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