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数据手册 | NFAM2012L5B 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | 门驱动器 |
产品 | IGBT, MOSFET Gate Drivers |
安装风格 | Through Hole |
类型 | High Side |
封装 | Tube |
工作电源电流 | 0.4 mA |
最小工作温度 | - 40 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | DIP-39 |
输出电流 | 2 mA |
电源电压-最大 | 800 V |
电源电压-最小 | 600 V |
输出端数量 | 6 Output |
激励器数量 | 6 Driver |
配置 | Inverting |
Pd-功率耗散 | 125 W |
库存:53,100
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 90
- 参考单价:
- ¥234.1527
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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90+ | ¥234.1527 | ¥21,073.7430 |
180+ | ¥218.8516 | ¥39,393.2880 |
270+ | ¥212.2852 | ¥57,317.0040 |
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