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数据手册 | H11D3SM 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | 晶体管输出光电耦合器 |
输出类型 | NPN Phototransistor |
系列 | H11D3M |
封装 | Bulk |
最小工作温度 | - 40 C |
最大工作温度 | + 100 C |
封装 / 箱体 | SMD-DIP-6 |
绝缘电压 | 7500 Vrms |
通道数量 | 1 Channel |
Vf - 正向电压 | 1.5 V |
Pd-功率耗散 | 300 mW |
If - 正向电流 | 80 mA |
Vr - 反向电压 | 6 V |
最大集电极/发射极电压 | 200 V |
最大集电极电流 | 100 mA |
最大集电极/发射极饱和电压 | 0.4 V |
库存:53,325
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥6.1962
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥6.1962 | ¥6.1962 |
10+ | ¥5.0769 | ¥50.7690 |
100+ | ¥3.1202 | ¥312.0200 |
500+ | ¥2.6530 | ¥1,326.5000 |
1,000+ | ¥2.1859 | ¥2,185.9000 |
2,000+ | ¥2.1154 | ¥4,230.8000 |
10,000+ | ¥2.0537 | ¥20,537.0000 |
25,000+ | ¥1.9920 | ¥49,800.0000 |
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