QPD1015
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
- 制造商:
- Qorvo
- 无铅情况/RoHS:
- 无铅/符合RoHS
- 供货:
- 商城自营
文档与媒体
数据手册 | QPD1015 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Tray |
最小工作温度 | - 40 C |
最大工作温度 | + 85 C |
封装 / 箱体 | NI-360 |
增益 | 20 dB |
技术 | GaN SiC |
输出功率 | 70 W |
Pd-功率耗散 | 64 W |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 50 V |
Id-连续漏极电流 | 2.5 A |
Vgs-栅源极击穿电压 | 145 V |
晶体管类型 | HEMT |
库存:56,596
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥836.4927
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥836.4927 | ¥836.4927 |
25+ | ¥724.9603 | ¥18,124.0075 |
100+ | ¥625.8204 | ¥62,582.0400 |
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