QPD1008
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
- 制造商：
- Qorvo
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | QPD1008 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tray |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 封装 / 箱体 | NI-360 |
| 增益 | 17.5 dB |
| 技术 | GaN SiC |
| 输出功率 | 162 W |
| Pd-功率耗散 | 127 W |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 50 V |
| Id-连续漏极电流 | 4 A |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 145 V |
| 晶体管类型 | HEMT |
库存：51,514
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥1,239.2484
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥1,239.2484 | ￥1,239.2484 |
| 25+ | ￥1,071.9499 | ￥26,798.7475 |
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