2SK3557-6-TB-E
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 LOW-FREQUENCY AMPLIFIER
- 制造商:
- ON Semiconductor
- 无铅情况/RoHS:
- 无铅/符合RoHS
- 供货:
- 商城自营
文档与媒体
数据手册 | 2SK3557-6-TB-E 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | SOT-23-3 |
技术 | SI |
Pd-功率耗散 | 200 mW |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 15 V |
Id-连续漏极电流 | 50 mA |
Vgs-栅源极击穿电压 | - 15 V |
晶体管类型 | JFET |
最大漏极/栅极电压 | - 15 V |
库存:53,800
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥2.4150
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥2.4150 | ¥2.4150 |
10+ | ¥1.9479 | ¥19.4790 |
100+ | ¥1.3750 | ¥137.5000 |
500+ | ¥1.1282 | ¥564.1000 |
1,000+ | ¥0.9167 | ¥916.7000 |
3,000+ | ¥0.7933 | ¥2,379.9000 |
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