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| 数据手册 | QPD1011SR 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 封装 / 箱体 | SMD-8 |
| 增益 | 21 dB |
| 技术 | GaN SiC |
| 输出功率 | 8.7 W |
| Pd-功率耗散 | 13 W |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 50 V |
| Id-连续漏极电流 | 1.46 A |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 145 V |
| 晶体管类型 | HEMT |
| 最大漏极/栅极电压 | 55 V |
库存：53,923
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 100
- 参考单价：
- ￥216.8685
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 100+ | ￥216.8685 | ￥21,686.8500 |
| 200+ | ￥198.2797 | ￥39,655.9400 |
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