TGF2018
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz Gain 14dB NF 1dB P1dB 22dBm
- 制造商:
- Qorvo
- 无铅情况/RoHS:
- 无铅/符合RoHS
- 供货:
- 商城自营
文档与媒体
数据手册 | TGF2018 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Gel Pack |
最小工作温度 | - 65 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | Die |
增益 | 14 dB |
技术 | GaAs |
Pd-功率耗散 | 640 mW |
Vds-漏源极击穿电压 | 8 V |
Id-连续漏极电流 | 58 mA |
Vgs-栅源极击穿电压 | - 15 V |
晶体管类型 | pHEMT |
最大漏极/栅极电压 | 12 V |
库存:57,159
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 100
- 参考单价:
- ¥36.1198
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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100+ | ¥36.1198 | ¥3,611.9800 |
300+ | ¥33.7664 | ¥10,129.9200 |
500+ | ¥31.5365 | ¥15,768.2500 |
1,000+ | ¥29.4916 | ¥29,491.6000 |
2,500+ | ¥29.3682 | ¥73,420.5000 |
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