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    TGF2018

    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz Gain 14dB NF 1dB P1dB 22dBm

    制造商:
    Qorvo
    产品类别
    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

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    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Gel Pack
    最小工作温度 - 65 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 Die
    增益 14 dB
    技术 GaAs
    Pd-功率耗散 640 mW
    Vds-漏源极击穿电压 8 V
    Id-连续漏极电流 58 mA
    Vgs-栅源极击穿电压 - 15 V
    晶体管类型 pHEMT
    最大漏极/栅极电压 12 V

    库存:57,159

    交货地:
    国内
    最小包装:
    100
    参考单价:
    ¥36.1198
    数量 单价(含税) 总计
    100+ ¥36.1198 ¥3,611.9800
    300+ ¥33.7664 ¥10,129.9200
    500+ ¥31.5365 ¥15,768.2500
    1,000+ ¥29.4916 ¥29,491.6000
    2,500+ ¥29.3682 ¥73,420.5000

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