TGF2080
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz NF 1.1dB Gain 11.5dB PAE 56%
- 制造商：
- Qorvo
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | TGF2080 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Gel Pack |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | Die |
| 增益 | 11.5 dB |
| 技术 | GaAs |
| Pd-功率耗散 | 4.2 W |
| Vds-漏源极击穿电压 | 12 V |
| Id-连续漏极电流 | 259 mA |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 7 V |
| 晶体管类型 | pHEMT |
| 最大漏极/栅极电压 | - 12 V |
库存：55,716
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 100
- 参考单价：
- ￥60.3495
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 100+ | ￥60.3495 | ￥6,034.9500 |
| 300+ | ￥56.3832 | ￥16,914.9600 |
| 500+ | ￥52.7342 | ￥26,367.1000 |
| 1,000+ | ￥49.2614 | ￥49,261.4000 |
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