T1G2028536-FS
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN
- 制造商：
- Qorvo
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | T1G2028536-FS 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tray |
| 最大工作温度 | + 250 C |
| 封装 / 箱体 | NI-780 |
| 增益 | 18 dB |
| 技术 | GaN SiC |
| 输出功率 | 260 W |
| Pd-功率耗散 | 288 W |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 36 V |
| Id-连续漏极电流 | 24 A |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 145 V |
| 晶体管类型 | HEMT |
| 最大漏极/栅极电压 | 48 V |
库存：50,639
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 25
- 参考单价：
- ￥2,900.8989
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 25+ | ￥2,900.8989 | ￥72,522.4725 |
申请更低价? 请联系客服
