MRF1535NT1
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET TO-272N
- 制造商：
- NXP Semiconductors
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | MRF1535NT1 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-272-Wrap-6 |
| 增益 | 13.5 dB |
| 技术 | SI |
| 输出功率 | 35 W |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Id-连续漏极电流 | 6 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 700 mOhms |
库存：50,079
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥125.3527
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥125.3527 | ￥125.3527 |
| 10+ | ￥110.4130 | ￥1,104.1300 |
| 100+ | ￥98.3378 | ￥9,833.7800 |
| 250+ | ￥69.0841 | ￥17,271.0250 |
| 500+ | ￥67.0393 | ￥33,519.6500 |
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