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MRFE6VP5150NR1

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSISTORS, 1.8--600 MHz, 150 W CW, 50 V

制造商:
NXP Semiconductors
产品类别
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

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数据手册 MRFE6VP5150NR1 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
封装 Cut Tape, Reel
技术 SI

库存:50,780

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥238.9916
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥238.9916 ¥238.9916
10+ ¥220.4646 ¥2,204.6460
25+ ¥210.5488 ¥5,263.7200
100+ ¥188.2406 ¥18,824.0600
250+ ¥179.5676 ¥44,891.9000
500+ ¥172.6310 ¥86,315.5000

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