图像仅供参考 请参阅产品规格
MRFE6VP5300NR1
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1.8--600 MHz, 300 W CW, 50 V
- 制造商：
- NXP Semiconductors
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | MRFE6VP5300NR1 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
| 封装 | Cut Tape, Reel |
| 技术 | SI |
库存：56,749
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥402.2004
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥402.2004 | ￥402.2004 |
| 5+ | ￥397.1148 | ￥1,985.5740 |
| 10+ | ￥377.8474 | ￥3,778.4740 |
| 25+ | ￥365.6400 | ￥9,141.0000 |
| 50+ | ￥362.1673 | ￥18,108.3650 |
| 100+ | ￥338.8102 | ￥33,881.0200 |
| 250+ | ￥328.6476 | ￥82,161.9000 |
| 500+ | ￥316.8721 | ￥158,436.0500 |
申请更低价? 请联系客服
