MRF1518NT1
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET PLD1.5N
- 制造商：
- NXP Semiconductors
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | MRF1518NT1 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | PLD-1.5 |
| 增益 | 13 dB |
| 技术 | SI |
| 输出功率 | 8 W |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Id-连续漏极电流 | 4 A |
库存：52,081
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥43.3120
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥43.3120 | ￥43.3120 |
| 10+ | ￥37.1775 | ￥371.7750 |
| 100+ | ￥30.7344 | ￥3,073.4400 |
| 500+ | ￥27.8875 | ￥13,943.7500 |
| 1,000+ | ￥15.9886 | ￥15,988.6000 |
| 2,000+ | ￥15.2394 | ￥30,478.8000 |
| 5,000+ | ￥14.6224 | ￥73,112.0000 |
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