PD55003TR-E
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
- 制造商：
- STMicroelectronics
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | PD55003TR-E 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | PowerSO-10RF-Formed-4 |
| 增益 | 17 dB |
| 技术 | SI |
| 输出功率 | 3 W |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Id-连续漏极电流 | 2.5 A |
库存：53,904
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥77.7659
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥77.7659 | ￥77.7659 |
| 10+ | ￥71.4463 | ￥714.4630 |
| 25+ | ￥68.5289 | ￥1,713.2225 |
| 100+ | ￥59.9793 | ￥5,997.9300 |
| 600+ | ￥53.7213 | ￥32,232.7800 |
| 1,200+ | ￥49.2614 | ￥59,113.6800 |
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