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    SD57030-01

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 4 Amp

    制造商:
    STMicroelectronics
    产品类别
    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

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    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Bulk
    最小工作温度 - 65 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 M250
    增益 13 dB
    技术 SI
    输出功率 30 W
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 65 V
    Id-连续漏极电流 4 A

    库存:56,463

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥352.7539
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥352.7539 ¥352.7539
    5+ ¥348.1089 ¥1,740.5445
    10+ ¥331.3094 ¥3,313.0940
    25+ ¥320.5916 ¥8,014.7900
    50+ ¥311.1166 ¥15,555.8300
    100+ ¥297.1111 ¥29,711.1100
    250+ ¥288.1914 ¥72,047.8500

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