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    BF1105R,215

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Trans MOSFET N-CH 7V 0.03A 4pin(3+Tab)

    制造商:
    NXP Semiconductors
    产品类别
    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

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    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最小工作温度 - 65 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 SOT-143R-4
    技术 SI
    晶体管极性 Dual N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 7 V, 7 V
    Id-连续漏极电流 30 mA

    库存:50,410

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥2.9703
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥2.9703 ¥2.9703
    10+ ¥2.3622 ¥23.6220
    100+ ¥1.4455 ¥144.5500
    1,000+ ¥1.1370 ¥1,137.0000
    3,000+ ¥0.9431 ¥2,829.3000
    9,000+ ¥0.8990 ¥8,091.0000
    24,000+ ¥0.8550 ¥20,520.0000
    45,000+ ¥0.8364 ¥37,638.0000

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