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    2SK3475TE12LF

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 1A 3W 20V VDSS

    制造商:
    Toshiba
    产品类别
    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

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    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    封装 / 箱体 PW-Mini-3
    增益 14.9 dB
    技术 SI
    输出功率 630 mW
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 20 V
    Id-连续漏极电流 1 A

    库存:52,058

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥13.7587
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥13.7587 ¥13.7587
    10+ ¥11.9606 ¥119.6060
    100+ ¥9.0432 ¥904.3200
    500+ ¥7.9326 ¥3,966.3000
    1,000+ ¥6.5664 ¥6,566.4000
    2,000+ ¥6.1081 ¥12,216.2000
    5,000+ ¥5.8878 ¥29,439.0000
    10,000+ ¥5.6586 ¥56,586.0000

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