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    MRFE6VS25NR1

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6E 25W50V TO270-2

    制造商:
    NXP Semiconductors
    产品类别
    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 MRFE6VS25NR1 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    封装 / 箱体 TO-270-2
    增益 27 dB
    技术 SI
    Vds-漏源极击穿电压 - 500 mV, 133 V

    库存:53,966

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥173.7416
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥173.7416 ¥173.7416
    10+ ¥160.3002 ¥1,603.0020
    25+ ¥153.0463 ¥3,826.1575
    100+ ¥136.8726 ¥13,687.2600
    250+ ¥130.5530 ¥32,638.2500
    500+ ¥124.2333 ¥62,116.6500

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