MRFE6VP6300HR5
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 300W50VISM NI780H-4
- 制造商：
- NXP Semiconductors
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | MRFE6VP6300HR5 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | NI-780-4 |
| 增益 | 26.6 dB |
| 技术 | SI |
| 输出功率 | 300 W |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 130 V |
| Id-连续漏极电流 | 100 mA |
库存：57,206
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥635.6745
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥635.6745 | ￥635.6745 |
| 5+ | ￥627.7419 | ￥3,138.7095 |
| 10+ | ￥602.7718 | ￥6,027.7180 |
| 25+ | ￥586.3514 | ￥14,658.7850 |
| 50+ | ￥578.5421 | ￥28,927.1050 |
| 100+ | ￥545.3927 | ￥54,539.2700 |
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