MRFE6VS25GNR1
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6E 25W50V TO270-2G
- 制造商：
- NXP Semiconductors
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | MRFE6VS25GNR1 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-270-2 |
| 增益 | 27 dB |
| 技术 | SI |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 142 V |
库存：57,130
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥185.9490
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥185.9490 | ￥185.9490 |
| 10+ | ￥171.5116 | ￥1,715.1160 |
| 25+ | ￥163.8258 | ￥4,095.6450 |
| 100+ | ￥146.4799 | ￥14,647.9900 |
| 250+ | ￥139.7283 | ￥34,932.0750 |
| 500+ | ￥132.9680 | ￥66,484.0000 |
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