MRF6V2010NR1
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 10W TO270-2N
- 制造商：
- NXP Semiconductors
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | MRF6V2010NR1 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-270 |
| 增益 | 23.9 dB |
| 技术 | SI |
| 输出功率 | 10 W |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 110 V |
库存：51,103
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥132.5361
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥132.5361 | ￥132.5361 |
| 10+ | ￥122.2502 | ￥1,222.5020 |
| 25+ | ￥116.8031 | ￥2,920.0775 |
| 100+ | ￥104.4106 | ￥10,441.0600 |
| 250+ | ￥99.5718 | ￥24,892.9500 |
| 500+ | ￥94.8034 | ￥47,401.7000 |
申请更低价? 请联系客服
