PD85006L-E
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF power trans LDmoST plastic
- 制造商：
- STMicroelectronics
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | PD85006L-E 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | PowerFLAT (5x5) |
| 增益 | 15 dB |
| 技术 | SI |
| 输出功率 | 6 W |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Id-连续漏极电流 | 2 A |
库存：57,548
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥56.1981
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥56.1981 | ￥56.1981 |
| 10+ | ￥48.3272 | ￥483.2720 |
| 100+ | ￥40.0861 | ￥4,008.6100 |
| 250+ | ￥38.1646 | ￥9,541.1500 |
| 500+ | ￥37.0541 | ￥18,527.0500 |
| 1,000+ | ￥31.4748 | ￥31,474.8000 |
| 3,000+ | ￥30.5493 | ￥91,647.9000 |
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