VRF2933
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 FG, MOSFET, ARF, RoHS, M177
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | VRF2933 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 增益 | 25 dB |
| 技术 | SI |
| 输出功率 | 300 W |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 180 V |
| Id-连续漏极电流 | 42 A |
库存：56,696
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥693.9791
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥693.9791 | ￥693.9791 |
| 2+ | ￥672.4201 | ￥1,344.8402 |
| 5+ | ￥672.2262 | ￥3,361.1310 |
| 10+ | ￥650.5437 | ￥6,505.4370 |
| 25+ | ￥626.0055 | ￥15,650.1375 |
| 50+ | ￥617.5794 | ￥30,878.9700 |
| 100+ | ￥565.7178 | ￥56,571.7800 |
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