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| 数据手册 | DU28120V 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 增益 | 13 dB |
| 技术 | SI |
| 输出功率 | 120 W |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 65 V |
| Id-连续漏极电流 | 6 mA |
库存：50,837
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥1,035.3277
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥1,035.3277 | ￥1,035.3277 |
| 2+ | ￥1,006.6998 | ￥2,013.3996 |
| 5+ | ￥983.6512 | ￥4,918.2560 |
| 10+ | ￥954.8999 | ￥9,548.9990 |
| 25+ | ￥920.3931 | ￥23,009.8275 |
| 50+ | ￥891.5802 | ￥44,579.0100 |
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