275-102N06A-00
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 DE-275 1000V 6A N Channel MOSFET
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | 275-102N06A-00 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | SMD-6 |
| 技术 | SI |
| 输出功率 | 590 W |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1000 V |
| Id-连续漏极电流 | 8 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 1.5 Ohms |
库存：57,522
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥108.2447
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥108.2447 | ￥108.2447 |
| 10+ | ￥99.4484 | ￥994.4840 |
| 25+ | ￥96.7865 | ￥2,419.6625 |
| 50+ | ￥92.9436 | ￥4,647.1800 |
| 100+ | ￥82.4726 | ￥8,247.2600 |
| 250+ | ￥80.2427 | ￥20,060.6750 |
| 500+ | ￥72.9270 | ￥36,463.5000 |
| 1,000+ | ￥62.2709 | ￥62,270.9000 |
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