ARF463AP1G
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 FG, MOSFET, 500V, TO-247, RoHS
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | ARF463AP1G 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 增益 | 15 dB |
| 技术 | SI |
| 输出功率 | 100 W |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Id-连续漏极电流 | 9 A |
库存：58,847
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥223.3732
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥223.3732 | ￥223.3732 |
| 5+ | ￥213.3341 | ￥1,066.6705 |
| 10+ | ￥206.6442 | ￥2,066.4420 |
| 25+ | ￥189.9153 | ￥4,747.8825 |
| 50+ | ￥184.2126 | ￥9,210.6300 |
| 100+ | ￥175.4779 | ￥17,547.7900 |
| 250+ | ￥161.2257 | ￥40,306.4250 |
| 500+ | ￥148.5247 | ￥74,262.3500 |
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