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MHT1002GNR3
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 915 MHz, 350 W, 48 V
- 制造商：
- NXP Semiconductors
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | MHT1002GNR3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
| 封装 | Cut Tape, Reel |
| 技术 | SI |
库存：51,774
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥1,302.1980
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥1,302.1980 | ￥1,302.1980 |
| 5+ | ￥1,263.1696 | ￥6,315.8480 |
| 10+ | ￥1,244.6426 | ￥12,446.4260 |
| 25+ | ￥1,217.1253 | ￥30,428.1325 |
| 50+ | ￥1,198.4131 | ￥59,920.6550 |
| 100+ | ￥1,182.1778 | ￥118,217.7800 |
| 250+ | ￥1,182.1778 | ￥295,544.4500 |
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