MRF1K50GNR5
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
- 制造商：
- NXP Semiconductors
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | MRF1K50GNR5 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | OM-1230G-4L |
| 增益 | 23 dB |
| 技术 | SI |
| 输出功率 | 1.5 kW |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 133 V |
| Id-连续漏极电流 | 36 A |
库存：53,276
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥1,127.7777
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥1,127.7777 | ￥1,127.7777 |
| 5+ | ￥1,115.9405 | ￥5,579.7025 |
| 10+ | ￥1,080.1910 | ￥10,801.9100 |
| 25+ | ￥1,054.3483 | ￥26,358.7075 |
| 50+ | ￥974.9165 | ￥48,745.8250 |
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