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MMRF1310HR5

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 300 W, 50 V

制造商:
NXP Semiconductors
产品类别
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
无铅情况/RoHS:
无铅/符合RoHS
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 MMRF1310HR5 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
封装 Cut Tape, Reel
技术 SI

库存:52,464

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥669.4409
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥669.4409 ¥669.4409
5+ ¥661.1381 ¥3,305.6905
10+ ¥634.8636 ¥6,348.6360
25+ ¥617.4560 ¥15,436.4000
50+ ¥609.3383 ¥30,466.9150
100+ ¥574.3908 ¥57,439.0800

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