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MRF6VP3450HSR5

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 450W 860MHZ NI1230S

制造商:
NXP Semiconductors
产品类别
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
无铅情况/RoHS:
无铅/符合RoHS
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 MRF6VP3450HSR5 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
安装风格 SMD/SMT
封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
最小工作温度 - 65 C
最大工作温度 + 150 C
封装 / 箱体 NI-1230S
技术 SI
晶体管极性 N-Channel
Vds-漏源极击穿电压 110 V

库存:50,444

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥1,236.7100
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥1,236.7100 ¥1,236.7100
5+ ¥1,199.5942 ¥5,997.9710
10+ ¥1,181.5608 ¥11,815.6080
25+ ¥1,155.8503 ¥28,896.2575
50+ ¥1,150.1477 ¥57,507.3850

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