MRFE6VP8600HSR5
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W NI1230S 50V
- 制造商：
- NXP Semiconductors
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | MRFE6VP8600HSR5 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | NI-1230S |
| 增益 | 18.8 dB |
| 技术 | SI |
| 输出功率 | 600 W |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 140 V |
库存：55,591
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥1,850.3230
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥1,850.3230 | ￥1,850.3230 |
| 5+ | ￥1,795.2355 | ￥8,976.1775 |
| 10+ | ￥1,768.9610 | ￥17,689.6100 |
| 25+ | ￥1,730.2411 | ￥43,256.0275 |
| 50+ | ￥1,721.6915 | ￥86,084.5750 |
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