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    RFM12U7X(TE12L,Q)

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 4A 20W 20V

    制造商:
    Toshiba
    产品类别
    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 RFM12U7X(TE12L,Q) 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    封装 / 箱体 PW-X-4
    增益 10.8 dB
    技术 SI
    输出功率 12 W
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 20 V
    Id-连续漏极电流 4 A

    库存:54,641

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥55.4577
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥55.4577 ¥55.4577
    10+ ¥50.0635 ¥500.6350
    25+ ¥48.8296 ¥1,220.7400
    100+ ¥39.5925 ¥3,959.2500
    500+ ¥34.9475 ¥17,473.7500
    1,000+ ¥30.5493 ¥30,549.3000
    2,000+ ¥29.4299 ¥58,859.8000

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