MRFE8VP8600HSR5
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 140 W Avg. over 470-870 MHz, 50 V RF Power LDMOS Transistor
- 制造商:
- NXP Semiconductors
- 无铅情况/RoHS:
- 无铅/符合RoHS
- 供货:
- 商城自营
文档与媒体
数据手册 | MRFE8VP8600HSR5 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
最小工作温度 | - 40 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | NI-1230S-4S |
增益 | 21 dB |
技术 | SI |
输出功率 | 140 W |
晶体管极性 | Dual N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | - 500 mV, 115 V |
Id-连续漏极电流 | 2.8 A |
库存:54,179
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 50
- 参考单价:
- ¥834.6946
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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50+ | ¥834.6946 | ¥41,734.7300 |
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