A2V07H525-04NR6
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 595-851 MHz, 120 W Avg., 48 V
- 制造商：
- NXP Semiconductors
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | A2V07H525-04NR6 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | OM-1230-4L |
| 增益 | 17.5 dB |
| 技术 | SI |
| 输出功率 | 120 W |
| 晶体管极性 | Dual N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 500 mV, 105 V |
| Id-连续漏极电流 | 2.8 A |
库存：54,170
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 150
- 参考单价：
- ￥814.6780
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 150+ | ￥814.6780 | ￥122,201.7000 |
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