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    AFT18S290-13SR3

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF1 1.8GHZ NI-880X-2L4S

    制造商:
    NXP Semiconductors
    产品类别
    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

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    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Reel
    最小工作温度 - 40 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 NI-880XS-2L4S
    增益 18.2 dB
    技术 SI
    输出功率 63 W
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 - 500 mV, 65 V

    库存:59,093

    交货地:
    国内
    最小包装:
    250
    参考单价:
    ¥739.8912
    数量 单价(含税) 总计
    250+ ¥739.8912 ¥184,972.8000

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